что такое плотность заполнения матрицы

УДК 621.3Россия, МГТУ им. Н.Э. БауманаРоссия, В современных сверхбольших интегральных схемах (далее СБИС) с субмикронными размерами элементов используется многослойная металлизация, применение которой позволяет существенно повысить степень интеграции, поскольку в этом случае всю поверхность кристалла можно использовать для формирования только активных структур [1]. Однако ее применение, как, впрочем, и применение любой другой технологии, создает и свои проблемы. Одной из таких проблем является возникновение рельефа на поверхности кристалла при формировании нескольких проводящих слоев, что приводит к технологическим трудностям при их создании.Известно, что для формирования слоя межсоединений при производстве КМОП СБИС используют субтрактивный процесс. Это значит, что первоначально на поверхность пластины наносят сплошной проводящий слой, в котором с помощью операций литографии и последующего травления открытых участков получают требуемый рисунок межсоединений.После получения рисунка проводящего слоя на него осаждают изолирующий слой (обычно изолятором является диоксид кремния), причем в процессе осаждения над проводниками образуются локальные ступеньки (рельеф). Если не принять соответствующих мер, то в таком случае формирование следующего проводящего слоя будет осуществляться уже на рельефную поверхность, что может привести к разрывам участков проводников, имеющих малую толщину. Кроме того, вследствие более низкой скорости травления проводящего слоя на наклонных участках могут остаться непротравленные области. В этом случае наличие рельефа может привести и к возникновению закороток.Для удаления локальной ступеньки, возникающей при осаждении диоксида кремния, используют технологический процесс химико-механической планаризации (далее ХМП), в силу особенностей которого, на поверхности кристалла СБИС тем не менее возможно сохранение рельефа поверхности (глобальной ступеньки).Одной из проблем связанных с возникновением глобальной ступеньки на поверхности пластины является ограничение процесса получения резистивной маски при проекционной литографии. Известно [2], что в соответствии со вторым критерием Релея, глубина фокусировки DOF оптической системы установки проекционной литографии определяется выражением:,где λ – длина волны экспонирующего излучения, а NA – числовая апертура объектива. Это значит, что в случае использования, например, установки проекционной литографии с параметрами: λ = 365 нм, NA = 0,6, глубина фокусировки составит величину порядка 0,5 мкм. Дополнительно при наличии рельефа поверхности пластины в процессе изготовления СБИС возможно наличие непротравленных контактных окон, а при увеличении времени травления - их растравливание.Всё вместе сказанное приводит к нестабильности технологического процесса производства СБИС и снижению процента выхода годных микросхем.Описанную технологию формирования многоуровневой металлизации обычно применяют для производства СБИС с минимальной проектной нормой большей 0,13 мкм. При меньшей проектной норме в качестве материала для формирования многослойной металлизации вместо алюминия используют медь. В этом случае при получении рисунка проводящего слоя возникают сложности с ее эффективным травлением. С целью решения данной проблемы фирмой “IBM” разработана технология dual-damascene process, в которой ХМП проводится по слою меди, а не диоксида [3].Особенности технологического процесса ХМПХотя проце

авторы: Гладких А. А., Макарчук В. В., Курейчик В. М.

Инженерное образование # 05, май 2012

77-48211/368628 Методики оптимального размещения dummy-структур

Эл № ФС 77 - 48211. Государственная регистрация №0421200025. ISSN 1994-0408

Наука и Образование: научно-техническое издание: 77-48211/368628 Методики оптимального размещения dummy-структур